第343章 卡脖子技术

炊事员小肖 / 著投票加入书签

悟空小说网 www.wkxs.cc,最快更新男人三十:妻子的苦恼最新章节!

    网络舆情的事情章珊处理得太漂亮了,只是大家对于彭一高买歌,买剧本,出卖半导体技术给国外,打压国内同行事情并没有平息。

    网络上出现了大量抵制高瑶时代,抵制合作友商华唯。

    很显然这是有预谋的针对。

    我觉得问题还是出在了打断了国外的垄断的光刻技术。

    光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。

    在半导体芯片制作过程中,首先采用Ic版图设计软件,设计出Ic制造工艺所需要的各个工艺层次的版 图,通过图形发生器(光学、 激光、电子束图形发生器等)制备出各工艺层次的光掩模版,然后采用光刻机把掩模版的图形照射到涂覆有光致抗蚀剂(光刻胶)的硅片表面,再进行曝光后光刻胶的显影等工序,在硅片表面形成可选择性刻蚀的膜层,最后通过刻蚀机把设计版图的数据转移到硅片表面的整个过程,称为光刻工艺。

    目前蓝星最先进的光刻机是华夏的接近式光刻机,这种光刻技术中的掩膜版与晶圆表面光刻胶并未直接接触,留有被氮气填充的间隙。

    优点是最小分辨尺寸与间隙成正比,间隙越小,分辨率越高。缺点是掩膜版和晶圆之间的间距会导致光产生衍射效应,因此接近式光刻机的空间分辨率极限约 为0.1μ m (蓝星数据、地球世界是2μm),蓝星的半导体材料路线,从一开始就转向了化合物,而且蓝星世界材料的物理和化学特性远比地球世界材料优异, 0.18μ m的磷化铟芯片与地球世界32nm制程纯硅芯片表现相当。

    蓝星世界的华夏,即便掌握了世界领先的接近式光刻技术,但是这种光刻技术已经接近曝光极限。0.18μ m 制程的磷化铟芯片(性 能表现相当于地球世界32nm制程纯硅芯片)生产工艺经过几次改良,良率仍然低于 60% (58.1%) ,生产成本居高不下,进一步开发微小尺寸半导体器件遇到了前所未有的瓶颈,需要开发全新的工艺来解决这个问题。

    充分消化和理解地球世界半导体技术的彭一高,决定一步到位,直接开发浸润式光刻机。

    这种光刻设备在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜,有效提高了分辨率。

    采用动态扫描方式的步进扫描,掩膜版相对晶圆同步完成扫描运动,完成当前曝光后,至下一步扫描场位置,继续进行重复曝光,直到整个晶圆曝光完毕。

    我之所以没有考虑干式光刻,因为光从投影物镜射出,由玻璃介质进入空气介质,会发生衍射,光角度发生变化,最终成像于晶圆表面。随着线宽不断缩小,衍射效应不断增加,需要增大投影物镜直径来接 受更多的光,这导 致物镜内聚焦的光角度越来越大, 再经过折射效应,射出投影 物镜的光角度接近水平,无法成像。严重限制了半导体器件特征尺寸的进一步微缩。

    而浸润式光刻技术使光刻水平进一步提高:投影物镜下方和晶圆间充满水,由于水的折射率和玻璃接近(在193nm波长中,折射率空气=1,水=1.44,玻璃约为1.5),从投影物镜射出的光进入水介质后,折射角较小,光可以正常从物镜中折射出来。ArF光源加浸润技术实际等效的波长为193nm\/1.44=134nm。

    另外,这种光刻技术利用多重曝光工艺实现更小线宽。

    考虑到蓝星的半导体刻蚀、沉积等 工艺与地球世界相差甚远,我最终放弃了SAdp,决定采用LFLE工艺进行多重曝光。

    LFLE (LItho-FREEZE-LItho-Etch光刻-固化- 光刻-刻蚀) :原理是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上,再次进行光刻,形成两倍结构。

    LFLF技术的特点就是流程简单,缺点是两次光刻之间存在对准问题,如果工艺不够严谨,每次曝光的线宽偏差和两次曝光图形之间套刻误差将图形局部周期性的起伏。

    之前,我带领团队开发的套刻测量设备便派上了 用场(一定程度上解决了套刻误差的问题)。

    除此之外,我还牵头开发了干式平面电机双工件台、塞曼-双折射双频激光干涉仪(实现光刻机在光刻过程中对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位)、直线式劳埃透镜镀膜装置(镀膜精度控制在0.1 纳米),0.18μ m到40nm (性能表现相当于地球世界7nm制程纯硅芯片)各个制程节点的半导体掩膜、浸润系统、ArF光刻胶……一系列光刻机核心部件和子系统。

    在晶体结构方面,我提出使用FinFEt结构全面取代平面moSFEt结构,并开发了配套的EdA设计软件,得到国内芯片设计代工企业的一致认可。

    高瑶时代除了研究电池,最主要的就是研究芯片、系统和屏幕,当然也有研究发动机,不过发动机这块放到了哈工大,成为了国家机密。

    在我隐姓埋名搞科研的时间,我的团队和国内手机企业华维合作,开发搭载了彭一高团队设计制造的新型Soc (系统级芯片)、NpU (神经网络处理器)、cmoS图像传感器、5G滤波器、射频芯片和启明星光电制造的tFt-Lcd液晶面板的平板电脑landmark00和新型智能手机pride00。

    这里不得不提一句,蓝星的等离子面板解决了高温放电烧屏、噪声、生产成本、尺寸小型化等问题,成功实现了商业化,与地球世界等离子面板遭到淘汰相反,之前蓝星世界的手机和电视、电脑普遍采用的是等离子面板显示。

    启明星光电(我利用地球世界资料)为手机和平板配套量产的液晶屏,这是蓝星世界首次出现的液晶显示产品。

    平板电脑采用的是2K全面屏,手机用的是1080p高清屏。

    在此之前,蓝星世界没有厂商开发过类似平板电脑的电子产品。

    这两个爆款采用纳米微晶陶瓷机身、1\/1.3超大底的主摄镜头,支持F1.4-4.0光圈调节、光学防抖,前置摄像头1300万像素、后置摄像头5000万像素(在此之前,蓝星手机摄像头普遍30万像素,部分高端手机摄像头46万像素)、5x潜望式长焦、超感光传感器、

    6300mAh超大容量电池(手机4500mAh) 、12Gb超大内存(手机8G内存)、 配合鸿蒙操作系统... ...

    平板电脑landmark00和新型智能手机pride00的问世,对蓝星的海外和弯湾的手机厂商而言,无疑是致命的降维打击,平板电脑和手机率先在线上线下全面开售,起售价分别为8999元和5999元。

    原本计划是下个月上市的,既然大家这么大的意见,那就不要买呗。

    就这样平板电脑和手机在毫无宣传之下上市了。

    虽然众多网友都在说要抵制,不过现实却给了大家一巴掌。

    从市场反馈来看,华维商城官网在一分钟内即告售罄,线下很多门店都已经排起了长龙。

    不少在华外国人也加入了抢购热潮,有外国人出3倍甚至5倍的价钱从已经拿到手机和平板的消费者手上收购。

    许多国家驻燕京的大使们甚至不惜动用外交关系,希望能够允许他们优先购买几台手机和平板电脑,不过对此,华夏方面的态度很明确:有本事您自己排队买去!别说您就是一个大使了,就算你们的元首来了,除非是作为礼物赠送,否则也得自己排队去买!

    被华夏方面一口回绝后,这些国家的大使也只能苦着脸在线下门门店前排队。

    这尼玛不是说好的抵制这些手机、平板吗?

    结果踏马的比谁都抢得厉害!

    突然有些人明白过来了,踏马的,他们是怕自己抢不到,故意这么说的吧。

    反正所有没有抢到手机平板的心里全是mmp。

    怎么说呢,人家彭一高和华唯确实做到了遥遥领先,你说人家打压同行也好,说人家怎么怎么样也好,但是人家的东西确实好呀,真的做到了遥遥领先。

    原本是打压人家高瑶医疗和华唯的,结果这波直接让人家赚麻了。

    关键是很快官方就出来肯定了高瑶时代在解决国家卡脖子问题上做出的贡献,并把各项专利无偿提供给了国家,华夏需要这样的企业,大家也更应该给予这样的企业与关怀与帮助。

    同时官方也宣布抓到了一些间谍组织,他们刻意抹黑高瑶时代等一些国家重点扶持集团公司,为的就是让某些国外集团取而代之,其险恶用心不言而喻。

    此消息一出,全网哗然,自己竟然和国外势力一起,在黑,在打压我们的民族企业。

    很多人自发的到官网网站下面留言,并表示要支持国货,但是遥遥领先不是你想要买,就能买到的啊。

    然后我和楠楠、锦渝还有妍儿,决定搞一场全球直播,写小说,写剧本,写歌曲,证明自己的真才实学。

    三个人也表示支持,毕竟都是我小迷妹,三个人对我也是充满了信心。

    其实我想把自己在地球上获得这些知识和内容的东西告诉几人,但是我真心开不了口,或许自己真的就只是一个抄袭者而已。